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三乙基镓

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三乙基镓
IUPAC名
triethylgallane
系统名
triethylgallium
别名 TEGa
识别
CAS号 1115-99-7
PubChem 66198
ChemSpider 59583
SMILES
 
  • CC[Ga](CC)CC
性质[2]
化学式 C6H15Ga
摩尔质量 156.9 g·mol⁻¹
外观 无色粘稠液体[1]
密度 1.067 g·cm−3(25 °C)
熔点 -82 °C(191 K)
沸点 143 °C(416 K)
溶解性 水解
危险性
主要危害 可自燃
相关物质
其他阴离子 三甲基镓
其他阳离子 三乙基硼
三乙基铝
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

三乙基镓是化学式Ga(C2H5)3有机镓化合物。它是无色、可自燃的液体,可用于有机金属化学气相沉积法[3]

制备和反应

三乙基镓主要通过三氯化镓的烷基化合成。使用格氏试剂醚溶液烷基化三氯化镓会产生醚加合物,其中的醚分子不易移除。三乙基镓也可通过三氯化镓与三乙基铝反应产生:[4]

GaCl
3
+ 3 AlEt
3
→ GaEt
3
+ 3 AlClEt
2

三乙基镓可通过氧化醇解变成无色、对空气稳定的醇盐[4]

GaEt
3
+ 0.5 O
2
→ GaEt
2
(OEt)
GaEt
3
+ EtOH → GaEt
2
(OEt) + EtH

它与三乙基镓发生重分配反应英语Redistribution reaction[4]

2GaEt
3
+ GaCl
3
→ 3 GaEt
2
Cl

应用

用三乙基镓生长出的化合物半导体的碳杂质较少,因此可在有机金属化学气相沉积法中替代三甲基镓[5]

参考资料

  1. ^ Brauer, Georg. Handbuch der präparativen anorganischen Chemie. Stuttgart: Enke. 1975: 847. ISBN 3-432-02328-6 (德语). 
  2. ^ 来源:Sigma-Aldrich Co., product no. 730726 .
  3. ^ Shenaikhatkhate, D; Goyette, R; Dicarlojr, R; Dripps, G. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 272: 816. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007. 
  4. ^ 4.0 4.1 4.2 J.J.Eisch, R. B. King (编). Organometallic Syntheses Volume 2. Nontransition Metal Compounds. NY, NY: Academic Press. 1981. 
  5. ^ Saxler, A; Walker, D; Kung, P; Zhang, X; Razeghi, M; Solomon, J; Mitchel, W; Vydyanath, H. Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN (PDF). Applied Physics Letters. 1997, 71: 3272. Bibcode:1997ApPhL..71.3272S. doi:10.1063/1.120310.