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File:Cmos-chip structure in 2000s (en).svg

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摘要

描述
Català: Estructura esquemàtica d'un xip CMOS, tal com es va construir a principis dels anys 2000. El gràfic mostra els LDD-MISFET sobre un substrat de silici SOI amb cinc capes de metal·lització i un tap de soldadura per a la unió de xip. També mostra la secció per a FEOL (front-end de línia), BEOL (back-end de línia) i les primeres parts del procés de back-end. (versió traduïda a l'alemany)
English: Schematic structure of a CMOS chip, like it is built in the early 2000s. The graphic shows LDD-MISFET's on a SOI silicon substrate with five metallization layers and solder bump for flip-chip bonding. Also it shows the section for FEOL (front-end of line), BEOL (back-end of line) and first parts of back-end process. (translated German version)
日期 2006年12月9日 (上传日期)
来源 self made (from university scripts and scientific papers)
作者 Cepheiden
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金属氧化物半导体场效应管 Chinese (China)(已转写)

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2006年12月9日 (六) 18:522006年12月9日 (六) 18:52版本的缩略图550 × 810(85 KB)Cepheiden{{Information |Description= Schematic structure of a CMOS chip, like it is build in the early 2000s. The grafic shows LDD-MISFET's on a SOI silicon substrate with five metallization layers and solder bump for flip-chip bonding. Also it shows the section f
2006年12月9日 (六) 18:492006年12月9日 (六) 18:49版本的缩略图550 × 810(85 KB)Cepheiden{{Information |Description= Schematic structure of a CMOS chip, like it is build in the early 2000s. The grafic shows LDD-MISFET's on a SOI silicon substrate with five metallization layers and solder bumb for flip-chip bonding. Also it shows the section f

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