硒化铋
硒化铋 | |
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IUPAC名 selenoxobismuth, selanylidenebismuth [1] | |
识别 | |
CAS号 | 12068-69-8 |
PubChem | 6379269 |
SMILES |
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EINECS | 235-104-7 |
性质 | |
化学式 | Bi2Se3 |
摩尔质量 | 654.8[2] g·mol⁻¹ |
外观 | 暗灰色固体[3] |
密度 | 6.82 g/cm3[2] |
熔点 | 710 °C(983 K) |
溶解性(水) | 不溶 |
溶解性 | 不溶于有机溶剂 可溶于强酸[2] |
结构 | |
晶体结构 | 三方晶系 |
热力学 | |
ΔfHm⦵298K | -140 kJ/mol |
危险性 | |
主要危害 | 有毒[3] |
NFPA 704 | |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
硒化铋(Bi2Se3)是一种灰色粉末,它是一种半导体,为热电材料。[4]具有完美化学计量比的硒化铋是半导体,带宽为0.3 eV,其硒空穴是电子授体,化学性质类似半金属。[5]在硒化铋中,观察到了拓扑保护表面态,[6]它是现在科学研究的主题。[7]
参见
参考文献
- ^ Bismuth(III) selenide - PubChem Public Chemical Database. Pubchem.ncbi.nlm.nih.gov. 2011-10-21 [2011-11-01].
- ^ 2.0 2.1 2.2 bismuth selenide | Bi2Se3. ChemSpider. [2011-11-01]. (原始内容存档于2015-07-03).
- ^ 3.0 3.1 Bismuth Selenide | Bismuth Selenide. Espimetals.com. [2011-11-01]. (原始内容存档于2011-09-08).
- ^ Mishra, S K; S Satpathy; O Jepsen. Electronic structure and thermoelectric properties of bismuth telluride and bismuth selenide. Journal of Physics: Condensed Matter. 1997-01-13, 9: 461–470 [2011-11-01]. ISSN 0953-8984. doi:10.1088/0953-8984/9/2/014. (原始内容存档于2014-06-24).
- ^ Hor, Y. S.; A. Richardella; P. Roushan; Y. Xia; J. G. Checkelsky; A. Yazdani; M. Z. Hasan; N. P. Ong; R. J. Cava. p-type Bi_{2}Se_{3} for topological insulator and low-temperature thermoelectric applications. Physical Review B. 2009-05-21, 79 (19): 195208 [2011-11-01]. doi:10.1103/PhysRevB.79.195208.
- ^ Hsieh, D.; Y. Xia; D. Qian; L. Wray; J. H. Dil; F. Meier; J. Osterwalder; L. Patthey; J. G. Checkelsky; N. P. Ong; A. V. Fedorov; H. Lin; A. Bansil; D. Grauer; Y. S. Hor; R. J. Cava; M. Z. Hasan. A tunable topological insulator in the spin helical Dirac transport regime. Nature. 2009, 460 (7259): 1101–1105 [2010-03-25]. ISSN 0028-0836. PMID 19620959. doi:10.1038/nature08234.
- ^ Brumfield, Geoff. Topological insulators: Star material : Nature News. Nature. 2010-07-14, 466: 310–311 [2010-08-06]. PMID 20631773. doi:10.1038/466310a. (原始内容存档于2017-10-12).