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背向散射電子繞射技術

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单晶硅的EBSD图案。

背向散射電子繞射技術 (Electron Backscatter Diffraction, EBSD)是一種利用繞射電子束來鑑別樣品結晶學方位的技術。掛載在掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy, SEM)中,傾斜角度約70度,加速後的電子束射入樣品中,產生反彈的背向散射電子,經過表面晶體結構繞射,攜帶著樣品表面的晶粒方位的資訊,進入探測器中,藉此判斷其每一顆晶粒的方向性。在知道每一顆晶粒的方位後,因此可用在判斷晶界(Grain boundary)、相鑑別(Phase identification)、晶粒取向(Orientation)、織構(Texture)及應變(Strain)的分析方法。