45纳米制程

45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。^[1]

芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极，目的是为了减少漏电。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。

2020年，華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠，預期工廠將從低端45納米晶片做起。

具有45纳米制程的产品

先前 65纳米制程	半导体器件制造制程	其後 32纳米制程

半导体器件制造

金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
晶體管數量互補式金屬氧化物半導體半导体器件（多閘極電晶體）摩尔定律晶體管數量半导体半导体产业纳电子学
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