极紫外光刻(英语:extreme ultraviolet lithography,台湾称为极紫外光微影,简称“EUV”或“EUVL”)又称作超紫外线平版印刷术, 是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前用于7纳米以下的先进制程,于2020年得到广泛应用[1][2][3][4] 。
DUV微影制程
晶圆制造过程里有一道程序是将设计好的电路图案(Pattern)缩小转印到晶圆上,此道制程便称之为光刻, 7奈米以前的制程使用248或193奈米波长的光做为光源来进行微影。早期市面上DUV微影制程机台的供应商以Canon以及Nikon为主, 浸润式光刻出现后DUV微影制程机台改由艾司摩尔所独霸。
EUV微影制程
微影制程中若想要优化电路图案(Pattern)的解析度有两种做法,一是增加数值孔径, 二是降低光源波长。EUV微影制程选择第二中作法,将光源波长降低13.5奈米来提升电路图案解析度,由于EUV波长太短,非常容易被大气吸收,因此此道制程需要在真空环境中完成。目前EUV微影制程机台由艾司摩尔所开发出的Twinscan光刻机所独霸一方。[5][6]
光罩
EUV光罩与传统光罩也截然不同,具复合多涂层反射镜(分散式布拉格反射器)的光罩可将电路图案反射到晶圆上。这种多层膜光罩虽然可维持光罩的反射率,但另一方面会影响临界线宽、轮廓、刻线边缘粗糙度。
参考资料