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真空通道晶體管

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真空通道晶體管(英語:Vacuum-channel transistor)是一種使用真空管原理的晶體管[1]。在傳統的固態晶體管中,半導體溝道存在於源極和漏極之間,並且電流流過半導體。然而,在真空溝道晶體管中,在源極和漏極之間不存在任何材料,因此,電流流過真空

概要

集成電路中使用的常規場效應晶體管中,由於隨着小型化的進行柵絕緣膜的變薄,漏電流英語Leakage (electronics)相對增加。 此外,由於硅的電子遷移率的限制,加速也受到限制。 當在外太空中使用時,還存在抗輻射的問題。 為了解決這些問題已經進行了各種研究和開發,其中之一是真空溝道晶體管,它利用了真空管的原理[1]

歴史

使真空管小型化的概念並不是什麼新鮮事物,並且是在1960年代半導體製造技術發展時提出的,但是那時製造技術仍然不足,無法實現。 在1980年代,曾報道過一個實際工作的真空通道晶體管的案例,但是由於當時的微製造技術無法縮小源極和漏極之間的距離,因此柵極的閾值電壓很高,因此無法投入實際使用[2][3] 。 此後,微細加工技術的進步使得減小源極和漏極之間的距離成為可能,並且在2012年,閾值電壓降至0.5V,與半導體處於同一水平[4]

結構

在傳統的場效應晶體管中,在源極和漏極之間存在半導體,電流流過它,但是在真空溝道晶體管中,在源極和漏極之間形成150納米的真空間隙,因此柵極之間沒有物理接觸電子流。在常規的真空管中,加熱陰極以發射熱電子,但是由於小型化,僅通過將其置於靜電場中就可以發射電子,並且不需要加熱[5]。另外,已經提出了幾種類型的真空溝道晶體管。

特點

由於它具有比硅晶體管更高的電子遷移率 ,因此可以高速開關,並有望作為太赫茲頻帶中的高頻器件[5]。它可以在高溫下操作並且耐輻射,但是其源電極會隨着操作而變質,從而導致可靠性差。

缺點

真空通道晶體管的性能取決於來自源電極的電子的場發射。 然而,由於高電場,源電極隨着時間而退化,從而減小了發射電流。由於電子源電極的退化,真空通道晶體管的可靠性較差[6]

參見

參考資料

  1. ^ 1.0 1.1 Introducing the Vacuum Transistor: A Device Made of Nothing. IEEE Spectrum. 2014-06-23 [2021-12-09]. (原始內容存檔於2021-12-09) (英語). 
  2. ^ Greene, R.; Gray, H.; Campisi, G. Vacuum integrated circuits. 1985 International Electron Devices Meeting. 1985-12: 172–175 [2021-12-09]. doi:10.1109/IEDM.1985.190922. (原始內容存檔於2021-12-09). 
  3. ^ Gray, H.F.; Campisi, G.J.; Greene, R.F. A vacuum field effect transistor using silicon field emitter arrays. 1986 International Electron Devices Meeting. 1986-12: 776–779 [2021-12-09]. doi:10.1109/IEDM.1986.191310. (原始內容存檔於2021-12-09). 
  4. ^ Srisonphan, Siwapon; Jung, Yun Suk; Kim, Hong Koo. Metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with a vacuum channel. Nature Nanotechnology. 2012-08, 7 (8): 504–508 [2021-12-09]. ISSN 1748-3387. doi:10.1038/nnano.2012.107. (原始內容存檔於2021-12-09) (英語). 
  5. ^ 5.0 5.1 半導体に取って代わられた真空管に復権の兆し、超高速のモバイル通信&CPU実現の切り札となり得るわけとは?. GIGAZINE. 2014-06-26 [2021-12-09]. (原始內容存檔於2020-10-09) (日語). 
  6. ^ Han, Jin-Woo; Sub Oh, Jae; Meyyappan, M. Vacuum nanoelectronics: Back to the future?—Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor. Applied Physics Letters. 2012-05-21, 100 (21): 213505 [2021-12-09]. Bibcode:2012ApPhL.100u3505H. ISSN 0003-6951. doi:10.1063/1.4717751. (原始內容存檔於2017-12-11) (英語). 

參考文獻

延伸閱讀

外部連結