金屬氧化物半導體電容器
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金屬氧化物半導體電容器(英語:Metal-Oxide-Semiconductor capacitor,縮寫:MOS capacitor)為金屬氧化物半導體電晶體中的一個特例,當後者只有採用三端(G、B、D)中的兩端(G、B或G、D)便會當成前者之用。
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金屬氧化物半導體電容器(英語:Metal-Oxide-Semiconductor capacitor,縮寫:MOS capacitor)為金屬氧化物半導體電晶體中的一個特例,當後者只有採用三端(G、B、D)中的兩端(G、B或G、D)便會當成前者之用。