二氧化鉿
| 二氧化鉿 | |
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| IUPAC名 Hafnium(IV) oxide | |
| 別名 | 氧化鉿(Ⅳ) |
| 識別 | |
| CAS號 | 12055-23-1 
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| PubChem | 292779 |
| ChemSpider | 258363 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | CJNBYAVZURUTKZ-MSHMTBKAAI |
| 性質 | |
| 化學式 | HfO2 |
| 摩爾質量 | 210.49 g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 白色粉末 |
| 密度 | 9.68 g/cm3 (固) |
| 熔點 | 2758 °C |
| 沸點 | 5400 °C |
| 溶解性（水） | 不溶於水 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
性質
白色或灰色粉末。不溶於水、鹽酸和硝酸和其他一般無機酸，在氫氟酸中緩慢溶解生成氟鉿酸鹽。與熱濃硫酸或硫酸氫鹽作用生成硫酸鉿。與碳在氯氣存在下混合加熱得到四氯化鉿。與氟矽酸鉀作用生成氟鉿酸鉀。與碳在1500℃以上反應得碳化鉿（HfC）。是一種具有寬帶隙（～6eV）和高介電係數的陶瓷材料。
有四方、單斜和三方三種晶形。單斜晶系的二氧化鉿在1475～1600℃的足量氧氣氛中轉化為四方晶系。
製取
可由四氯化鉿、二硫化鉿、硼化鉿、氮化鉿、碳化鉿、氯氧化鉿、硫酸鉿等化合物經熱分解、水解或高溫灼燒製取。
用途
用作耐火材料[1]、抗放射性塗料和催化劑。近年來在微電子領域引起關注，它有可能替代目前矽基集成電路核心器件金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）的柵極絕緣層二氧化矽（SiO2），以解決傳統 MOSFET 中 SiO2/Si 發展的尺寸極限問題。[2]
參見
參考資料
- ^ Very High Temperature Exotic Thermocouple Probes. Omega Engineering, Inc. [2008-12-03]. （原始內容存檔於2012-02-19）. （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）
- ^ Intel Says Chips Will Run Faster, Using Less Power. New York Times. 2007-01-27 [2009-08-27]. （原始內容存檔於2017-08-26）. （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）