多層單元
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多層單元(英語:multi-level cell,縮寫MLC)是一種儲存多個位元資訊的記憶體元件。
MLC NAND快閃記憶體是一種在每個單元(cell)上使用多個層次的快閃記憶體技術,從而允許相同數量的電晶體儲存更多位元。在單層單元(SLC)NAND快閃記憶體技術中,每個單元只能處於兩種狀態中的一種,即每個單元儲存一個位元。很多MLC NAND快閃記憶體在每個單元中儲存四個可能的狀態,因此可以用每個單元儲存兩個位元。這減少了區分狀態的餘量,從而增加了發生錯誤的可能性。面向低錯誤率而設計的多層單元有時稱之為企業級MLC(eMLC)。
三層單元(Triple-level cells,縮寫TLC)是MLC記憶體的一種子類型,並隨着MLC記憶體的演變而有着較混亂的命名法。記憶體階層表現為如下順序:
- SLC - (最快,極高成本)
- MLC - (中上,高成本)
- TLC - (中等,低成本)
- QLC - (最慢,極低成本)
概述
MLC快閃記憶體的主要好處是較高的數據密度帶來的較低單元儲存成本,而記憶體讀取軟件可以補償更大的位元錯誤率。[1]更高的錯誤率需要前向錯誤更正(FEC)來糾正多個位元錯誤。例如,SandForce SF-2500快閃記憶體控制器可以糾正每個512位元組磁區中最多55位元,從而使不可恢復讀錯誤的發生率低於每讀寫1017位元時一個磁區。[2]最常被使用的演算法是BCH碼。[3]與SLC快閃記憶體相比,MLC NAND的其他缺點是較低的寫入速度、較低的編程擦除周期數和更高的功耗。
有少數記憶體裝置走向另一個方向,為每個位元使用兩個單元,從而得到更低的誤碼率。[4] Intel 8087使用每個單元兩個位元的技術,並是首個在1980年於市場上使用多層ROM單元的裝置。[5]一些固態磁碟使用MLC NAND中的部分晶粒模擬為單位元的SLC NAND,從而提供更高的寫入速度。[6][7][8]
三層單元
三星集團宣佈了每個單元(cell)儲存三位元資訊的一種NAND快閃記憶體,具有共8種電壓狀態。這也稱之為三層單元(Triple Level Cell,縮寫TLC),首次應用於840系列SSD。[9]三星將這項技術稱之為3位元MLC。基於NAND記憶體的SanDisk X4快閃記憶體記憶卡在每個電晶體中使用16個離散電荷電平(狀態)在每個單元儲存四位元。[10][11]MLC的缺點在TLC上同樣存在並更為突出,但TLC也受益於更高的儲存密度和更低的成本。[12]
單層單元
快閃記憶體將數據儲存在浮柵電晶體製成的各儲存單元中。在傳統上,每個單元有兩種可能的狀態,因此每個單元中儲存一個位元數據的稱之為單層單元,或者SLC快閃記憶體。SLC記憶體具有高寫入速度、低功耗、更長電池耐久的優點。但是,因為SLC記憶體比MLC記憶體在每個單元中儲存的數據更少,它儲存每百萬位元組的成本更高。由於更快的傳輸速度和更長使用壽命,SLC快閃記憶體技術更常被用於製造高效能記憶卡。2016年2月的一項研究表示,SLC與MLC的可靠性在實踐中幾乎沒有差異。[13]
參見
參考資料
- ^ Micron's MLC NAND Flash Webinar. [2017-01-25]. (原始內容存檔於2007-07-22).
- ^ SandForce SF-2600/SF-2500 Product Info (頁面存檔備份,存於互聯網檔案館) 2013-10-22
- ^ A Tour of the Basics of Embedded NAND Flash Options (頁面存檔備份,存於互聯網檔案館) EE Times 2013-08-27
- ^ "Automotive EEPROMs use two cells per bit for ruggedness, reliability" (頁面存檔備份,存於互聯網檔案館) by Graham Prophet 2008-10-02
- ^ "Four-state cell called density key" article by J. Robert Lineback.
- ^ Geoff Gasior.
- ^ Allyn Malventano.
- ^ Samsung.
- ^ Samsung SSD 840 Series - 3BIT/MLC NAND Flash. [2017-01-25]. (原始內容存檔於2013-04-10).
- ^ SanDisk Ships World’s First Flash Memory Cards with 64 Gigabit X4 (4-Bits-Per-Cell) NAND Flash Technology. [2017-01-25]. (原始內容存檔於2015-02-27).
- ^ NAND Flash - The New Era of 4 bit per cell and Beyond (頁面存檔備份,存於互聯網檔案館) EE Times 2009-05-05
- ^ Samsung SSD 840: Testing the Endurance of TLC NAND. AnandTech. 2012-11-16 [2014-04-05]. (原始內容存檔於2014-04-03).
- ^ Bianca Schroeder and Arif Merchant. Flash Reliability in Production: The Expected and the Unexpected. Usenix. February 22, 2016 [November 3, 2016]. (原始內容存檔於2017-01-08).