寄生电容
此条目需要扩充。 (2015年7月25日) |
此条目没有列出任何参考或来源。 (2015年7月25日) |
寄生电容(parasitic capacitance),也称为杂散电容,是电路中电子元件之间或电路模组之间,由于相互靠近所形成的电容,寄生电容是寄生元件,多半是不可避免的,同时经常是设计时不希望得到的电容特性。寄生电容常常也会造成杂散振荡。
在现实中,所有的电路元件,例如电感元件、二极管和晶体管都具有内部电容,这些电容将使元件的性能与理想情况有所不同。此外,在任意两段导体之间均有非零的电容,这种电容在高频情况中体现得尤为突出,因此在印刷电路板设计中必须予以考虑。
功率MOSFET(Power MOSFET)的寄生电容可能会比较大,若直接利用微控制器的输出来控制,可能会令微控制器受损。闸极驱动器就是用来解决寄生电容的问题,其输出电流能力亦较大。
参见
![]() | 这是一篇电子学小作品。您可以通过编辑或修订扩充其内容。 |