氮化钪
| 氮化钪 | |
|---|---|
| |
| IUPAC名 Scandium nitride | |
| 别名 | 一氮化钪 |
| 识别 | |
| CAS号 | 25764-12-9 |
| PubChem | 117629 |
| ChemSpider | 105117 |
| SMILES |
|
| 性质 | |
| 化学式 | ScN |
| 摩尔质量 | 58.963 g·mol⁻¹ |
| 密度 | 4.4 g/cm3 |
| 熔点 | 2900 °C（3173 K） |
| 危险性 | |
GHS危险性符号
| |
| GHS提示词 | Danger |
| H-术语 | H228 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
氮化钪是一种无机化合物，化学式为ScN，由Sc3+和N3−构成。它可以由铟-钪熔体溶解氮气来制备[1]，并在钨箔上通过升华和凝华来生长单晶。[2]氮化钪也是二氧化硅（SiO2）或二氧化铪（HfO2）底物上半导体的有效栅极。[3]
参考文献
- ^ Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi. Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts. Applied Ceramic Technology. 4 August 2016, 13 (6): 1134–1138. doi:10.1111/ijac.12576.
- ^ Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W. Crystal Grown and Properties of Scandium Nitride. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. August 2004, 15 (8): 555–559. doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c.
- ^ Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang. Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2. Japanese Journal of Applied Physics. 13 January 2006, 45 (2): L83–L85. doi:10.1143/JJAP.45.L83.