硅穿孔
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硅穿孔(英语:Through Silicon Via, 常简写为TSV,也称做硅通孔)是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连。
TSV 是一种让3D IC封装遵循摩尔定律(Moore's Law)的互连技术,TSV可堆叠多片芯片,其设计概念来自于印刷电路板(PCB), 在芯片钻出小洞(制程又可分为先钻孔及后钻孔两种, Via First, Via Last),从底部填充入金属, 硅晶圆上以蚀刻或激光方式钻孔(via),再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满。此一技术能够以更低的成本有效提高系统的整合度与效能。
TSV技术在三维封装和三维集成电路中具有重要应用,对于跨入3D IC相当具有优势。2006年4月,韩国三星表示已成功将TSV技术应用在“晶圆级堆叠封装”(Wafer level process stack package, WSP)NAND Flash堆叠的技术堆叠八个2Gb NAND Flash芯片,以激光钻孔打造出TSV制程,高度是0.56mm。2007年4月三星公布其以WSP技术应用在DRAM的产品,共堆叠了4颗512Mb的DRAM芯片。到目前为止,芯片商采用硅穿孔技术的商业行为有限,仅有CMOS(CIS)影像感测器、MEMS等少数几种。