兴奋性突触后电位
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在神经科学中，兴奋性突触后电位（英语：Excitatory postsynaptic potential，EPSP）是使突触后神经元更有可能激发动作电位的突触后电位。由于带正电的离子流入突触后细胞，导致突触后膜电位的暂时去极化，是打开配体门控离子通道的结果。这与抑制性突触后电位(IPSP)相反，抑制性突触后电位通常是由于负离子流入细胞或正离子流出细胞而引起的。EPSP也可能是由于流出的正电荷减少所致，而IPSP有时是由于正电荷流出量增加所致。引起EPSP的离子流是兴奋性突触后电流。
像IPSP一样，EPSP也具有累加效果。当多个EPSP出现在突触后膜的各单个区块上时，它们的综合作用就是各个区块EPSP的总和。较大的EPSP导致较大的膜去极化程度，因此增加了突触后细胞达到激发动作电位阈值的可能性。
活细胞中的EPSP是化学引起的。当活跃的突触前细胞将神经递质释放到突触中时，其中一些会与突触后细胞上的受体结合。这些受体中的许多受体都包含一个离子通道，该通道能够将带正电的离子传递到细胞中或从细胞中传递出去(此类受体称为离子型受体)。在兴奋性突触中，离子通道通常允许钠离子进入细胞，从而产生兴奋性突触后电流。这种去极化电流导致膜电位的增加，此即为EPSP。[1]
参见
参考资料
- ^ Takagi, Hiroshi. “Roles of Ion Channels in EPSP Integration at Neuronal Dendrites.” Neuroscience Research, vol. 37, no. 3, 2000, pp. 167–171., doi:10.1016/s0168-0102(00)00120-6.