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動態隨機記憶體價格操縱

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動態隨機記憶體價格操縱是指動態隨機存取記憶體(DRAM)製造商透過聯合哄抬等方式操縱價格的行為。

2002年至2005年

在2002年,依據《休曼法案》,美國司法部對於動態隨機存取記憶體(DRAM)製造商的行為展開調查,指控當時DRAM的四大廠:三星電子海力士美光英飛凌,企圖聯手操控價格,並控告其聯合壟斷價格的行為。而其中美光從承認犯罪並轉為污點證人,透過協商管道並與美國司法部合作,獲得免起訴的機會。

美國電腦製造商包括戴爾桀威英語Gateway, Inc.聲稱DRAM製造商的聯合哄抬DRAM價格行為造成利潤降低與市場競爭力下滑。迄今,五家製造商對參予一場國際性的價格操縱共謀中承認有罪,包括海力士英飛淩美光三星電子[1]

2003年12月,司法部指控美光的區域銷售經理Alfred P. Censullo違反了美國法典18 U.S.C. § 1503。Alfred P. Censullo在2002年6月服務於美光公司時,收到陪審團的傳票要求調查檔案時,他對於修改檔案隱瞞且觸犯阻礙調查等罪嫌承認有罪。

在2004年10月20日,英飛淩認罪,因其涉案部分被罰款一億六千萬美金,是美國歷史上第三大反托拉斯罰金金額;同時,英飛淩的四名主管被求處4到6個月的徒刑[2],並罰款25萬美金。在四人被宣告徒刑之後,美國司法部反托拉斯局英語United States Department of Justice Antitrust Division刑事執法處助理檢察總長英語United States Assistant Attorney GeneralScott D. Hammond說:『這四名主管是第一個針對操縱市場價格承認有罪的案例,對於DRAM產業違反反托拉斯法案中,此案將持續積極的調查。我們將繼續追究參予這次價格操縱案中其他國內外的主管。』

海力士很快在2005年4月第三個認罪,後被處罰一億八千五百萬美金罰金。[3]

2005年10月,三星電子因同一個壟斷行為被控有罪[4],而他們的三億美金罰金,是美國歷史上到目前為止第二多的反托拉斯法罰金金額[5],並且也有多名主管前往美國入獄服刑。

台灣廠商南亞科技華邦電子當時也受到調查,然而當時市佔率相當低,並未受到此案的波及。

2017年至2018年

2018年4月律師事務所 Hagens Berman 指控三星、美光和海力士從 2016 年第一季度到 2017 年第三季度之間通過降低產量和操縱價格使其收入翻了一番多。三星、鎂光和海力士控制了全球 96% 的 DRAM 晶片市場。中國在2017年宣布調查主記憶體晶片市場的價格壟斷,三家公司的行為突然發生了改變。DRAM 的價格在 2017 年上漲了 47% ,為三十年來最大幅度的上漲。[6][7]

參考資料

參見

外部連結